产品概述
第三代半导体材料包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga₂O₃)等，具有宽禁带、高击穿电压、高电子迁移率等特性，是新能源汽车、5G通信、智能电网等新兴产业的核心材料。公司已布局第三代半导体衬底研发，在6英寸碳化硅衬底技术领域取得重大突破。
产品类型
碳化硅 SiC
4-6英寸SiC衬底，用于功率器件、新能源汽车
氮化镓 GaN
2-4英寸GaN衬底，用于射频器件、5G通信
氧化镓 Ga₂O₃
储备研发，未来超高压功率器件应用
技术突破
2024年12月，公司研发团队在6英寸碳化硅衬底技术领域取得重大突破，关键技术指标达到国际先进水平，为产业化奠定基础。
应用领域
- 新能源汽车：SiC功率器件用于电机驱动、充电系统，提升效率降低损耗
- 5G通信：GaN射频器件用于基站、雷达，高频高效
- 智能电网：SiC器件用于高压输配电，降低损耗提升可靠性
- 工业控制：功率器件用于电机驱动、电源管理